韓國研究團(tuán)隊開發(fā)出一種突破性的非晶態(tài)半金屬材料，其特性不同于傳統(tǒng)金屬，為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步鋪平了道路。

1月3日，由亞洲大學(xué)智能半導(dǎo)體工程與電子工程系教授權(quán)毓仁 (Oil Kwon) 帶領(lǐng)的研究人員宣布，他們通過國際合作成功創(chuàng)造出一種超薄非晶態(tài)半金屬材料。

傳統(tǒng)金屬的電阻率會隨著厚度的減小而增大，而新材料則不同，隨著厚度的減小，電阻率會減小。

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的變革者

這種名為拓?fù)浒虢饘俚男滦筒牧吓c當(dāng)前的半導(dǎo)體制造工藝高度兼容。其生長溫度低至 400°C 以下，無需高溫工藝，因此可以輕松集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。

盡管該材料具有非晶結(jié)構(gòu)，缺乏傳統(tǒng)薄膜金屬的晶體特性，但仍保留了優(yōu)異的導(dǎo)電性。

這一進(jìn)展解決了采用新型半導(dǎo)體互連材料的兩個關(guān)鍵挑戰(zhàn)：與當(dāng)前制造工藝的兼容性以及在低溫條件下運行的能力，從而*大限度地減少對半導(dǎo)體器件的潛在損壞。

邁向商業(yè)化

研究團(tuán)隊目前正在開發(fā)一種用于該材料的原子層沉積 (ALD) 工藝。ALD 以其在原子級控制薄膜厚度的精度而聞名，被視為將該技術(shù)商業(yè)化用于高度微型化半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵一步。

“這項研究代表著一項重大突破，因為它通過實驗驗證了一種*的全新材料，”Kwon教授說。“這種新材料可以成為未來半導(dǎo)體技術(shù)的顛覆性解決方案，突破現(xiàn)有材料的局限性，提供無限的應(yīng)用。”

國際合作與認(rèn)可

這項研究由斯坦福大學(xué) Eric Pop 教授和 Asir Intizar Khan 博士等研究人員合作開展，發(fā)表在著名期刊《科學(xué)》1 月刊上，題為“超薄非晶態(tài) NbP 半金屬中的表面?zhèn)鲗?dǎo)和降低的電阻率”。

亞洲大學(xué)的研究人員專注于材料合成、機(jī)理和特性研究，而斯坦福大學(xué)的團(tuán)隊則致力于材料合成及其電氣特性分析。

這項創(chuàng)新使韓國在開發(fā)半導(dǎo)體行業(yè)*材料方面處于*地位，為解決未來器件的技術(shù)挑戰(zhàn)提供了潛在的飛躍。